Taas nga Precision Aluminum Stainless Steel SPHC SPCC Sheet Metal Stamping Part

Ang mosunod nga mga lakang sagad gilakip sa proseso sa oksihenasyon:
1. Hilaw nga materyal nga pagpakaon: Gamita ang mga tubo aron mahatagan ang mga hilaw nga materyales sa reaktor aron mapadayon ang husto nga balanse sa mga hilaw nga materyales sa sulod.
2. Reaksyon: Aron mahimo ang reaksyon sa oksihenasyon, idugang ang oxygen sa reaktor ug i-regulate ang mga parameter sa reaksyon (sama sa temperatura, presyur, ug oras sa reaksyon).
3. Pagbulag sa produkto: Paggamit ug air cooler aron pabugnawon ang mi-react nga produkto, ibalik kini gikan sa gaseous state ngadto sa liquid o solid nga porma, ug dayon gamita ang separator aron mabulag ang mga produkto nga naggikan sa lain-laing mga component.
4. Pagputli: Aron maseguro nga ang produkto sa reaksyon makaabot sa gikinahanglang kaputli, putli kini.

5. Pagputos: Human maputli ang mga produkto, kini giputos sumala sa mga giya ug mga sumbanan sa dili pa ibaligya ngadto sa mga kliyente o ipadala ngadto sa sunod nga yugto sa pagproseso.
Sa piho nga mga espesyal nga aplikasyon, sama sa semiconductor wafer fabrication, ang proseso sa oksihenasyon naglakip usab sa paggamit sa enerhiya sa kainit ug mga oxidant (ingon nga oxygen ug tubig) sa silicon substrate aron makamugna og silicon dioxide (SiO2) coating. Kini nga oxide film nagsilbing anti-etching layer aron mapanalipdan ang wafer gikan sa wala tuyoa nga pag-etching sa panahon sa proseso sa pag-etching, mohunong sa pagsabwag sa panahon sa proseso sa pag-implant sa ion, ug mohunong sa leakage current gikan sa pag-agi sa mga sirkito.